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zcc5148q 替代 ltc7891

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发表于 2024-7-1 10:03:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
特征
►GaN 驱动技术针对 GaN FET 进行了充分优化
►宽 VIN 范围:4 V 到 100 V
►宽输出电压范围:0.8 V≤VOUT≤60 V
►不需要捕获、箝位或自举二极管
►内部智能自举开关可防止高压过充电-
侧面驱动器电源
►内部优化,智能接近零死区时间或电阻器
可调死区时间
►用于可调节开启和关闭驱动器的分体式输出门驱动器
优势
►精确可调的驱动器电压和 UVLO
►低工作 IQ:5μA(48 VIN 至 5 VOUT)
►可编程频率(100 kHz 至 3 MHz)
►锁相频率(100 kHz 至 3 MHz)
►扩频频率调制
►28 引线(4 mm×5 mm)侧可湿 QFN 封装
APPLICATIONS (应用)
►工业电力系统
►军用航空电子和医疗系统
►电信电力系统
一般说明
ZCC5148Q 是一种高性能、降压、直流到直流开关调节器控制器,可从高达 100V 的输入电压驱动所有 N 沟道同步氮化镓
(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。ZCC5148Q 解决了传统上使用 GaN FET 时面临的许多挑战。ZCC5148Q 简化了
同时与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比不需要保护二极管和其他额外的外部组件。内部智能
自举开关可防止 BOOST 引脚至 SW 引脚高侧驱动器电源在死区期间过充电,从而保护顶部 GaN FET 的栅极。ZCC5148Q
在内部优化了两个开关边缘的栅极驱动器时序,以实现智能的接近零死区时间,显著提高了效率,并允许高频操作,即使
在高输入电压下也是如此。或者,用户可以使用外部电阻器调整死区时间以获得裕度或定制应用。
ZCC5148Q 的栅极驱动电压可以从 4V 精确调整到 5.5V,以优化性能,并允许使用不同的 GaN FET,甚至逻辑电平 MOSFET。

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