特征 ►GaN 驱动技术针对 GaN FET 进行了充分优化 ►宽 VIN 范围:4 V 到 100 V ►宽输出电压范围:0.8 V≤VOUT≤60 V ►不需要捕获、箝位或自举二极管 ►内部智能自举开关可防止高压 ...
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